Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio del comportamento in condizioni di elevato stress elettro-termico dei dispositivi in semiconduttori wbg impiegati in convertitori switching ad alta efficienza e affidabilità |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of the behavior in conditions of high electro-thermal stress of the devices in wbg semiconductors used in high efficiency and reliability switching converters |
| Area CUN | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | L’obiettivo della ricerca è lo studio sia teorico che sperimentale del comportamento dei dispositivi in semiconduttori WBG in condizioni di elevato stress elettrotermico in modo da verificare l’impatto che questi dispositivi hanno sulla robustezza ed affidabilità dei convertitori elettronici destinati ai sistemi di alimentazione presenti nelle stazioni ferroviarie. L’attività è destinata alla comprensione dei fenomeni fisici che si manifestano nei dispositivi WBG quando sono sottoposti ad elevati stress elettrotermici che possono degradare le prestazioni del convertitore in termini di robustezza ed affidabilità. Le attività saranno rivolte allo studio di: • comportamento in corto circuito e sovraccarico di corrente; • comportamento in presenza di sovratensioni. |
| Descrizione sintetica in inglese | The aim of the research is the theoretical and experimental study of the behaviour of WBG semiconductor devices in conditions of high electro-thermal stress in order to verify the impact that these devices have on the robustness and reliability of electronic converters intended for power supply systems present in railway stations. The activity is intended to understand the physical phenomena that occur in WBG devices when they are subjected to high electro-thermal stresses that can degrade the performance of the converter in terms of robustness and reliability. The activities will be aimed at the study of: • behaviour in short circuit and current overload; • behaviour in the presence of over-voltages. |
| Data del bando | 16/12/2022 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://www.unicas.it/sia/bandi-gare-e-concorsi/bandi-di-concorso/assegni-di-ricerca/dipartimento-di-ingegneria-elettrica-e-dellinformazione.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale |
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| Tipologia dell'Ente | Academic |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Cassino (FR) |
| Sito web | http://www.unicas.it |
| busatto@unicas.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 04/01/2023 |
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| Come candidarsi | Other |