Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo su facility di test di fotosensori a SiPM |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development on SiPM photo sensor test facilities12 |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | BC 25415 E' indetto un concorso pubblico per titoli ed esame colloquio a n. 1 assegno Senior Fascia 2 per la collaborazione ad attività di ricerca tecnologica da usufruire presso i Laboratori Nazionali del Gran Sasso dell'I.N.F.N. sul seguente tema di ricerca : “Sviluppo su facility di test di fotosensori a SiPM - Codice assegno: CIR01_00020_455557-OR3-ADR12" La durata dell' assegno di ricerca è di 12 mesi, rinnovabile per ulteriori 24 mesi. |
| Descrizione sintetica in inglese | BC 25415 The President of the National Institute of Nuclear Physics announces a public selection procedure, based on CV and interview, to award n. 1 Senior Level 2 research grant for conducting technological research at the INFN National Laboratories of Gran Sasso on the following topic: “Development on SiPM photo sensor test facilities - Research grant code: CIR01_00020_455557-OR3-ADR12” The grant lasts 12 months and is renewable for a further 24 months |
| Data del bando | 23/03/2023 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 21829 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | https://jobs.dsi.infn.it/index.php?tipo=Assegno%20di%20ricerca |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 21829 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Altri costi in italiano | Al fine di favorire la mobilità dei ricercatori, i vincitori e le vincitrici dell'assegno di ricerca tecnologica che abbiano conseguito la laurea di secondo livello in una Provincia o Città Metropolitana diversa da quella della sede di destinazione dell'assegno, beneficeranno di un incentivo economico aggiuntivo, purché non risultino residenti o non abbiano avuto il domicilio o borse di studio o altri assegni di ricerca erogati dall'INFN o da altre istituzioni scientifiche nei tre anni antecedenti alla sottoscrizione del contratto nella Provincia o Città Metropolitana della sede di destinazione. Il suddetto incentivo economico aggiuntivo potrà essere erogato per una durata massima di 3 anni. |
| Altri costi in inglese | In order to promote the mobility of researchers, the winners of the technological research grants who have obtained the second level degree in a Province or Metropolitan City other than that where their research grant is seated, will receive an additional economic incentive, provided that they are not resident or have not had the residence or scholarships or other research grants paid by the INFN or other scientific institutions in the three years prior to the signing of the contract in the Province or Metropolitan City of the destination. This additional economic incentive may be granted for up to 3 years. |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
I candidati e le candidate devono essere in possesso della laurea di secondo livello in Fisica, Ingegneria elettronica (o titolo equivalente conseguito all'estero) conseguita da non più di 9 anni e di curriculum tecnico-professionale idoneo per lo svolgimento di attività di ricerca, che contempli un periodo di almeno ventiquattro mesi di specifica esperienza professionale o di ricerca tecnologica post-laurea. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Applicants must hold an Italian or equivalent Master-level degree in Physics, Electronic Engineering obtained not earlier than 9 years before the call deadline, and a CV suitable for conducting research activities, including at least two years of specific graduate-level research activity. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
La commissione esaminatrice dispone complessivamente di n. 100 punti così ripartiti: - 30 punti per i titoli; - 70 punti per l'esame-colloquio. L'esame-colloquio non si intende superato se il candidato non ha ottenuto la votazione di almeno 49/70. Il candidato o la candidata entra in graduatoria solo se consegue una votazione minima totale di 70 punti. La graduatoria finale verrà pubblicata alla pagina web del bando. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) |
Applicants must hold an Italian or equivalent Master-level degree in Physics, Electronic Engineering obtained not earlier than 9 years before the call deadline, and a CV suitable for conducting research activities, including at least two years of specific graduate-level research activity. |
| Nome dell'Ente finanziatore | INFN - Istituto Nazionale di Fisica Nucleare |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Frascati |
| Sito web | https://home.infn.it/it/ |
| ac.dru.assegni.borse@lists.infn.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 07/04/2023 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |