Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | FIRB RBAP115AYN “Ossidi alla nanoscala: multifunzionalità e applicazioni”. Tema della ricerca: Deposizione e caratterizzazione di eterostrutture ZnO/(Zn,Mg)O tramite Epitassia da fasci molecolari e realizzazione di dispositivi quantistici. |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | FIRB RBAP115AYN “Oxides at the nanoscale: multifunctionality and applications”. Object of research: Deposition and characterization of ZnO/(Zn,Mg)O heterostructures by molecular beam epitaxy and realization of quantum devices. |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il candidato dovrà ottimizzare la deposizione di eterostrutture ZnO/ZnMgO cresciute utilizzando un apparato MBE allo scopo di ottenere un gas elettronico bidimensionale all’interfaccia esteso su aree macroscopiche. Dovrà caratterizzare tali eterostrutture da un punto di vista strutturale, morfologico e delle proprietà di trasporto elettrico e termoelettrico anche a temperature ultra-basse (centinaia di mK) e alti campi magnetici. Il candidato dovrà inoltre realizzare dispositivi quantistici basati su queste eterostrutture sfruttando una collaborazione con altri centri di ricerca internazionali per la geometrizzazione su scala nanometrica. |
| Descrizione sintetica in inglese | The candidate will optimize the deposition condition of ZnO and ZnO/(Zn,Mg)O heterostructures by the recently realized molecular beam epitaxy system in order to obtain a two dimensional electron gas extending on macroscopic areas. He will also take care of the morphological and structural characterization by AFM and XRD and of the low temperature, high magnetic field transport properties characterization. The fellow will also realize quantum devices based on such heterostructures enforcing a collaboration with other international research centers for device nanostructuring. |
| Data del bando | 07/01/2015 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/5493_DOC_EN.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Assessment of the titles and interview. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature presentate in conformità con il bando SPIN AR 001/2015 GE, il giorno 2 febbraio 2015 alle ore 15 presso il Dipartimento di Fisica dell’Università degli Studi di Genova, Via Dodecaneso 33, 16146 Genova. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for applications submitted in conformity with vacancy call SPIN AR 005/2014 GE, on February 2, 2015, at 3:00 p.m. (local time), at Department of Physics, University of Genoa, Via Dodecaneso 33, 16146 Genoa, Italy. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto SPIN. |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Genova |
| Codice postale | 16152 |
| Indirizzo | Corso F.M. Perrone 24 |
| Sito web | http://www.spin.cnr.it/ |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 23/01/2015 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |