Bandi per assegni di ricerca

CNR - Istituto per la microelettronica e microsistemi

Bando per assegno di ricerca
Descrizione del bando
Titolo del progetto di ricerca in italiano 3C-SiC Hetero-epitaxiallly cresciuto su substrati di compatibilità del silicone e substrati 3C-SiC per i dispositivi powEr a banda larga di Gap
Titolo del progetto di ricerca in inglese “3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices (CHALLENGE)”
Area CUN 02 - Scienze fisiche
S.S.D -
Descrizione sintetica in italiano
Descrizione sintetica in inglese
Data del bando 22/06/2017
Numero di assegnazioni per anno 1
Paesi in cui può essere condotta la ricerca Italy
Paesi di residenza dei candidati EUROPE
Nazionalità dei candidati EUROPE
Sito web del bando http://www.urp.cnr.it

 

Dettagli dell'assegno di ricerca
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate)

 

Finanziatore
Nome dell'Ente finanziatore Istituto per la Microelettronica e Microsistemi
Tipologia dell'Ente Public research
Paese dell'Ente Italy
Città Bologna
Sito web http://www.imm.cnr.it

 

Contatto presso l'Ente
E-mail direzione@bo.imm.cnr.it

 

EU Research Framework Programme
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? H2020

 

Dettagli per la candidatura
Data di scadenza del bando 13/07/2017