Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Micro/nanofabbricazione e caratterizzazione di dispositivi optoelettronici- Prg MIUR 2D ECO - Bando AR.009.2017_NANOTEC RM |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Micro/nanofabrication and characterization of optoelectronic devices - Prj MIUR 2 D ECO - Vac. CALL AR.009.2017_NANOTEC RM |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività riguarderà la progettazione e micro/nanofabbricazione in clean room di dispositivi optoelettronici basati su semiconduttori innovativi organici e/o inorganici. Inoltre, dovranno essere sviluppati strati dielettrici di passivazione dei dispositivi fabbricati mediante processi a bassa temperatura per ridurre il loro degrado elettrico indotto da difetti superficiali. La comprensione delle proprietà elettriche dei materiali semiconduttori sarà cruciale per lo sviluppo di dispositivi con elevate prestazioni. Di conseguenza, l’attività includerà anche lo studio dei materiali semiconduttori in termini di morfologia della superficie e composizione chimica qualitativa. Fondamentale sarà l’attività di caratterizzazione elettrica dei dispositivi fabbricati. |
| Descrizione sintetica in inglese | The activity will involve the design and micro/nanofabrication in clean room of optoelectronic devices based on innovative organic and/or inorganic semiconductors. Moreover, the dielectric passivation layer will be developed by means of low temperature processes with the aim at reducing electrical degradation due to the presence of surface defects. In order to develop highly efficient devices, the understanding of the electrical properties of semiconductor materials will be crucial. Hence, the activity will include also the morphological and chemical study of semiconductor materials in terms of surface morphology and qualitative chemical composition along with final device testing. |
| Data del bando | 29/11/2017 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/7607_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Valuzione dei titoli e colloquio Requisiti: a) Diploma di laurea in Fisica o in materie attinenti; b)documentata esperienza anche con pubblicazioni scientifiche, sulle seguenti attività: •Tecniche di micro/nanofabbricazione top-down and bottom-up; •Tecniche di litografia laser ed elettronica; •Progettazione di micro/nanostrutture mediante sistemi CAD; •Tecniche deposizione di semiconduttori organici, inorganici e strati dielettrici; •Caratterizzazione morfologica e chimica di materiali a film sottile in particolare: microscopia a scansione elettronica (SEM), microscopia a forza atomica (AFM) e spettroscopia infrarossa (FTIR); •C aratterizzazione ottica ed elettrica di dispositivi optoelettronici; c)conoscenza della lingua inglese; d)conoscenza di base della lingua italiana |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Titles evaluation and interview a)Master’s Degree in Physics and related b)Professional scientific experience, tested also by scientific publications on the following subjects: •Top-down and bottom-up micro/nanofabrication techniques; •Direct laser lithography and electron beam lithography techniques; •Design of micro/nanostructures by means of CAD systems; •Deposition techniques of organic and inorganic semiconductors and dielectric layers; •Morphological and qualitative chemical characterization of thin film materials: scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and fourier transform infrared spectroscopy (FTIR); •Optical and electrical characterization of optoelectronic devices; c)Knowledge of English language; d)Knowledge of basic Italian language (only for foreign applicants). |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | La prova colloquio, per i candidati ammessi, avrà luogo il giorno 21 DICEMBRE 2017 alle ore 10:00 presso la Sede Principale di Lecce dell’Istituto CNR NANOTEC, c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni; |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on DECEMBER 21st, 2017, at 10:00 a.m., at CNR’s NANOTEC Institute, c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR Istituto di Nanotecnologie |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Lecce |
| Codice postale | 73100 |
| Indirizzo | c/o Campus Ecotekne, Via Monteroni |
| Sito web | http://nanotec.cnr.it |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 14/12/2017 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |