Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo del processo di impianto ionico per la fabbricazione di dispositivi elettronici di potenza a base di Carburo di Silicio (SiC) |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of the ion implantation process for the manufacture of power electronic devices based on Silicon Carbide (SiC) |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Other |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
| Descrizione sintetica in italiano | Disegno, fabbricazione, caratterizzazione, e simulazione di dispositivi elettronici a base di carburo di silicio, politipi 3C-SiC e 4H-SiC |
| Descrizione sintetica in inglese | Design, manufacture, characterization, and simulation of silicon carbide based electronic devices, 3C-SiC and 4H-SiC polytypes |
| Data del bando | 11/04/2018 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | bologna |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| direzione@bo.imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 26/04/2018 |
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