Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Progettazione, realizzazione e caratterizzazione di dispositivi ad onde acustiche superficiali per applicazioni nella rivelazione della radiazione ultravioletta. |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Design, fabrication and characterization of surface acoustic wave devices for ultraviolet radiation detection. |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Acoustics |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
| Descrizione sintetica in italiano | Sede di lavoro: Sede di Roma di IFN CNR. Sono Richiesti: Diploma di Laurea in Fisica, Scienza dei Materiali, Ingegneria Elettronica, Ingegneria delle telecomunicazioni, Ingegneria Aerospaziale, o affini, conseguito secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99, oppure della Laurea Specialistica/Magistrale (D.M. 05/05/04); Conoscenze in uno o più dei seguenti ambiti attinenti al bando: linguaggi di programmazione e simulazione; tecniche crescita e caratterizzazione materiali; tecniche di fabbricazione di dispositivi; tecniche di misure elettro-ottiche; ottima conoscenza della lingua inglese. Attivita’ di ricerca: Fabbricazione di dispositivi ad onde acustiche superficiali mediante processi litografici. Caratterizzazione elettro-ottica di dispositivi ad onde acustiche superficiali. Simulazione agli elementi finiti dei dispositivi elettroacustici. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research will be held in the seat of Rome of IFN CNR. Requirements for application submission: to hold a Master degree in Physics, or Material Science, or Electronic Engineering, or Telecommunications Engineering or Aerospace Engineering, or similar, as defined by D.M. 509/99 and D.M May 5, 2004, or an equivalent foreign qualification; Knowledge of one or more of the following areas pertaining to the call: programming and simulation languages; material growth and characterization techniques; device manufacturing techniques; electro-optical measurement techniques; fluency in English language. Research activity: Fabrication of surface acoustic wave devices by lithographic processes. Electro-optical characterization of surface acoustic wave devices. Finite element modelling of the electroacoustic devices. |
| Data del bando | 14/10/2021 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 19367 |
| Periodicità | annuale |
| E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
OTHER |
| Nazionalità dei candidati |
OTHER |
| Sito web del bando | https://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/11670_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Altri costi in italiano | I costi della ricerca sono sostenuti dall'Istituto IFN CNR |
| Altri costi in inglese | The costs of the research are sustained by the Institute IFN CNR |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Una Commissione, nominata dal Direttore dell’Istituto, procede alla selezione mediante la valutazione dei titoli e un colloquio. La Commissione dispone complessivamente di 100 punti, di cui 50 punti per la valutazione dei titoli e 50 punti per il colloquio. È previsto un punteggio minimo di 25 punti nella valutazione dei titoli per essere ammessi al colloquio. È inoltre previsto un punteggio minimo di 35 punti per il superamento del colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | A Committee, nominated by the Director of the Institute, can assign a total of 100 points to the applicants, of which 50 points attributed by examining the qualifications presented and 50 points attributed by the interview, supported by the rules established by the committee, to assess the candidate's aptitude for research. Candidates who reach the threshold value of 25/50 points in the evaluation of the application are admitted to the interview. To pass the interview, a threshold value of 35/50 points must be reached. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Una Commissione nominata dal Direttore dell'Istituto valutera' i titoli dei candidati e i candidati ammessi saranno sottoposti ad un colloquio orale. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | A Committee nominated by the Director of the Institute will evaluate the titles of the candidates and the candidates admitted will be interviewed. |
| Nome dell'Ente finanziatore | Ist. di Fotonica e Nanotecnologie del CNR |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Codice postale | 20133 |
| Indirizzo | p.le Leonardo da Vinci 32 |
| Sito web | http://www.ifn.cnr.it |
| ida.ruffoni@ifn.cnr.it | |
| Telefono | 393382230591 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 04/11/2021 |
|---|---|
| Come candidarsi | ida.ruffoni@ifn.cnr.it |