Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Crescita di Nanostrutture Epitassiali di semiconduttori III-V mediante Droplet Epitaxy per sensori infrarosso a quantum dot |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Growth of Nanostructured III-V semiconductor materials by droplet epitaxy for quantum dot infrared photodetectors |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | l'obiettivo del progetto è lo sviluppo di nuove tecnologie, basate su effetti quantici, per il miglioramento della efficienza sensori per il lontano infrarosso. I sensori infrarossi a quantum dot (QDIP) sono basati su transizioni intersottobanda fra stati elettronici localizzati nel dot. I QDIP permetteranno di ottenere prestazioni elevate a temperature relativamente basse. Il progetto vuole definire una procedura dettagliata per la crescita epitassiale e l'integrazione monolitica di QDIP su Si. In particolare, verrà studiato l'effetto dell'introduzione di nanostrutture ad alta densità di stati e strain nullo all'interno del materiale. Ciò permetterà di formare attraverso la conduzione fattiva delle attività di crescita MBE di nanostrutture epitassiali, un giovane ricercatore con ottime conoscenze specifiche nel campo delle nanostrutture per applicazioni nell'imaging infrarosso. Il progetto avrà durata biennale. |
| Descrizione sintetica in inglese | http://www.unimib.it/link/news.jsp?8556579637035785030 the objective of the project is the development of advanced technologies based on quantum effects, for the improvement of the efficiency of far infrared sensors. The quantum dot infrared sensors (QDIP) are based on intersubband transitions between electronic states localized in the dot. The QDIPi expected to achieve high performance at relatively low temperatures. The project aims to establish a detailed procedure for the epitaxial growth and monolithic integration of QDIP on Si. In particular, we will study the effect of the introduction of nanostructures with high density of states and zero strain within the material. This activity will enable the formation of a researcher with good knowledge in the field of nanostructures applications of Molecular beam epitaxy. |
| Data del bando | 15/05/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unimib.it/link/news.jsp?8556579637035785030 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Milano - Bicocca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | http://www.unimib.it |
| bandi.assegni_borse@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 04/06/2012 |
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| Come candidarsi | Other |