Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio, progettazione e caratterizzazione di MOSFET di potenza ad ampio bandgap |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study, Design, and Characterization ofWide Bandgap Power MOSFETs |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Area CUN | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Descrizione sintetica in italiano | studio, progettazione e caratterizzazione sperimentale di MOSFET in carburo di silicio (SiC) per applicazioni di potenza, con tensioni fino a 3.3 kV. Il SiC è essenziale per le applicazioni di potenza grazie alle sue proprietà superiori. La sua banda proibita più ampia consente dispositivi più efficienti ad alta tensione e temperatura, migliorando l'affidabilità. Tali dispositivi sono i componenti fondamentali nei circuiti di potenza e sono impiegati nei settori dell'avionica, della conversione energetica e dell'automotive. L'attività di ricerca si concentrerà sulla progettazione di design 3D di MOSFET innovati vi in SiC, tramite l'utilizzo di simulazioni TCAD avanzate. L'attività di ricerca sarà inoltre incentrata sulla caratterizzazione sperimentale di dispositivi di nuova generazione con una tensione di blocco fino a 3. 3kV . |
| Descrizione sintetica in inglese | The main goal of the research activity will consist in: study, design, and experimental characterization of Silicon Carbide (SiC) MOSFETs for power applications, with voltages up to 3.3 kV. SiC is essential for power applications due to its superior properties. Its wider bandgap enables more efficient devices at high voltage and temperature, enhancing reliability. These devices are fundamental components in power circuits and find applications in avionics, energy conversion, and automotive sectors. The research activity will focus on the 3D design of innovative SiC MOSFETs using advanced TCAD simulations. Additionally, the research will involve experimental characterization of nextgeneration devices with a blocking voltage ofup to 3.3 kV. |
| Data del bando | 11/03/2024 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 36.083 |
| Periodicità | 12 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
EUROPE |
| Nazionalità dei candidati |
EUROPE |
| Sito web del bando | http://www.unina.it/documents/11958/50816484/DIETI_AR-10-24_bando.pdf/ https://www.dieti.unina.it/images/assegni_di_ricerca/2024/10-2024/Bando_Rif_DIETI_AssRic_10_2024.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 27.000 |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | https://www.dieti.unina.it/images/assegni_di_ricerca/2024/10-2024/Call_for_Research_Fellowship_Ref_DIETI_Ass_Ric10-2024_English_Version.pdf |
| Nome dell'Ente finanziatore | Univesity of Naples Federico II |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Napoli |
| Codice postale | 80125 |
| Indirizzo | VIA CLAUDIO 21 |
| Sito web | http://www.unina.it |
| sole@unina.it | |
| Telefono | 0817683216 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | H2020 |
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| Data di scadenza del bando | 12/04/2024 |
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