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| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio di livelli elettronici profondi in dispositivi optoelettronici al nitruro di gallio: caratterizzazione elettrica e ottica |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of electron deep levels in Gan-based optoelectronic devices: optical and electrical characterization |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Campo principale della ricerca | Technology |
| Sottocampo della ricerca | Nanotechnology |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Materials Engineering |
| Area CUN | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Scopo di questo progetto di ricerca è l'indagine dei meccanismi all'origine dell'invecchiamento e l'analisi del danno in dispositivi emettitori di luce (LED, UV-LED e Laser) con multi-quantum wells di InGaN/GaN. A questo fine prove di invecchiamento dei LEDs saranno effettuate seguendo varie procedure: 1) passaggio di bassa corrente per tempi lunghi a temperatura ambiente, 2) stoccaggio dei LEDs per tempi lunghi ad alta temperatura, 3) stress dei dispositivi con alti livelli di corrente ad alta temperatura. Verranno studiate le proprietà elettroniche dei difetti in LEDs non sottoposti ad invecchiamento e l'evoluzione di tali difetti durante le prove di invecchiamento. In dettaglio, si analizzerà la posizione nella banda proibita dei livelli elettronici associati a difetti, la loro localizzazione spaziale nella struttura dei LEDs e con quali meccanismi essi influiscono sulle proprietà di trasporto ed ottiche dei LEDs. |
| Descrizione sintetica in inglese | Purpose of this research project is the in-depth investigation of aging and degradation mechanisms in light-emitting devices (LEDs, UV-LEDs and Lasers) with InGaN/GaN/AlGaN multi-quantum wells. Aging treatments of the devices will be carried out in different modes: 1) low-current drive for long times at room temperature, 2) device storage at high temperature and 3) device stress at both high current and high temperature. The electronic properties of defects in untreated LEDs and the evolution of such defects with aging will be monitored. Defect-related electronic levels in the bandgap, their spatial localization in the LED structure and the way they influence transport and optical properties of the device will be studied. Capacitance-voltage (C-V), Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) and photocurrent spectroscopy (PC) techniques will used to determine the trap characteristics. |
| Data del bando | 06/07/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI FISICA E ASTRONOMIA |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| daniela.cavalcoli@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 25/07/2012 |
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| Come candidarsi | Other |