Descrizione posizione

Titolo del progetto di ricerca in italiano	Sviluppo di meteodologie di crescita epitassiale da fasci molecolari di semiconduttori integrati su substrati patterned di silicio.
Titolo del progetto di ricerca in inglese	Development of Innovative Molecular Beam Epitaxy Growth Procedures of Semiconductors on patterned Silicon substrates.
Descrizione sintetica in italiano	L'attività di ricerca è parte di un programma di ricerca finalizzato allo sviluppo di percorsi innovativi per l'integrazione monolitica di semiconduttori composti su silicio. In particolare l'obiettivo del progetto è lo sviluppo di tecniche per la crescita di semiconduttori epitassiali nanostrutturati a base arsenico mediante tecniche di crescita tridimensionali. Il vincitore svilupperà tecniche di crescita avanzate Molecular Beam Epitaxy. Il vincitore della posizione si prevede che abbia: 1) una forte e ben documentata esperienza nello sviluppo di strategie innovative per la crescita di nanostrutture III-V; 2) una documentata capacità di condurre un gruppo di ricerca; 3) un'attività documentata di trasferimento di competenze verso giovani studenti.
Descrizione sintetica in inglese	The present research activity is part of a Research Program, aimed at the development of innovative path towards the monolithical integration of compound semiconductor on Silicon. In particular the project target is the development of techniques for the growth of arsenides nanostructured epitaxial semiconductors on Silicon via three dimensional growth methods on atterned substrates. The winner will develop advanced Molecular Beam Epitaxy growth techniques. The winner of the present position is expected to have: 1) a strong, well documented background in the development of innovative strategies for the growth of III-V nanostructures; 2) documented ability to lead a research group; 3) documented activity of research skill transfer towards young students.
Numero posti	1
Settore Concorsuale	02/B1 - FISICA SPERIMENTALE DELLA MATERIA
S.S.D	FIS/03 -
Settore Concorsuale	02/B1 - FISICA SPERIMENTALE DELLA MATERIA
S.S.D	FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
Destinatari del bando (of target group)	Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc)
Data del bando	16/02/2018

 

FP7 / PEOPLE / Marie Curie Actions

Research Framework Programme / Marie Curie Actions	No

 

Dettagli dell'impiego

Tipo di contratto	Temporary
Tempo	Full-time
Ore settimanali	36
Organizzazione/Ente	Università degli Studi di Milano - Bicocca
Paese (dove si svolgerà l'attività)	ITALY
Città	Milano

 

Contatto presso l'Organizzazione/Ente

Organizzazione/Ente	Università degli Studi di Milano - Bicocca
Tipo	Academic
Facoltà/Dipartimento/Laboratorio di ricerca	Dipartimento di Scienza dei Materiali
Paese	ITALY
Città	Milano
E-mail	protocollo@unimib.it
Sito web	http://www.unimib.it

 

Dettagli per la candidatura

Data di scadenza del bando	20/03/2018

 

Titoli di studio richiesti

Laurea	Primary Degree or equivalent
Ambito della laurea	Engineering
Laurea	Primary Degree or equivalent
Ambito della laurea	Physics

 

Lingue richieste

Lingua	ENGLISH
Livello di conoscenza della lingua	Excellent

 

Requisiti aggiuntivi

Competenze richieste in italiano	Competences: 1) sviluppo di strategie innovative per la crescita di nanostrutture III-V; 2) conduzione di un gruppo di ricerca; 3) trasferimento di competenze verso giovani studenti.
Competenze richieste in inglese	Competencies: 1) strongbackground in the development of innovative strategies for the growth of III-V nanostructures; 2) ability to lead a research group; 3) activity of research skill transfer towards young students.