Descrizione posizione

Titolo del progetto di ricerca in italiano	Modeling e strategie di riduzione di difetti estesi in semiconduttori cresciuti epitassialmente
Titolo del progetto di ricerca in inglese	Extended defects in epitaxial semiconductors: Modeling and strategies for their reduction
Descrizione sintetica in italiano	SELEZIONE PUBBLICA, PER TITOLI ED ESAMI, PER IL RECLUTAMENTO DI N. 1 UNITA’ DI TECNOLOGO DI PRIMO LIVELLO, AI SENSI DELL’ART. 24 BIS DELLA L. 240/2010, DI CATEGORIA EP, POSIZIONE ECONOMICA EP2, SETTORE CONCORSUALE 02/B2 - FISICA TEORICA DELLA MATERIA, SETTORE SCIENTIFICO-DISCIPLINARE FIS/03, CON RAPPORTO DI LAVORO SUBORDINATO A TEMPO DETERMINATO E PARZIALE AL 66% DELLA DURATA DI 36 MESI PRESSO IL DIPARTIMENTO DI SCIENZA DEI MATERIALI NELL’AMBITO DEL PROGETTO DI RICERCA “MODELING E STRATEGIE DI RIDUZIONE DI DIFETTI ESTESI IN SEMICONDUTTORI CRESCIUTI EPITASSIALMENTE”.
Descrizione sintetica in inglese	PROCEDURE OF COMPARATIVE EVALUATION BY QUALIFICATION AND EXAMS IS CALLED FOR THE RECRUITMENT OF NO. 1 FIRST LEVEL "TECHNOLOGIST", IN THE SENSE OF ART. 24 BIS OF LAW 240/2010, CATEGORY EP, ECONOMIC POSITION EP2, COMPETITION SECTOR 02/B2 - THEORETICAL PHYSICS OF MATTER, SCIENTIFIC-DISCIPLINARY SECTOR FIS/03, WITH EMPLOYMENT RATIO FOR A FIXED PERIOD AND PARTIAL TO 66% OF THE DURATION OF 36 MONTHS AT THE MATERIALS SCIENCE DEPARTMENT IN THE FIELD OF THE RESEARCH PROJECT "MODELING AND STRATEGIES FOR THE REDUCTION OF EXTENDED DEFECTS IN EPITAXIALLY GROWING SEMICONDUCTORS".
Descrizione del bando in italiano	Il/la tecnologo/a dovrà supportare attivamente la ricerca in corso di svolgimento all'interno del gruppo proponente, volta allo studio teorico/computazionale di metodologie di integrazione di materiali quali SiC o SiGe su substrati di Si. A tal fine risulta fondamentale una profonda conoscenza dei tipici difetti estesi presenti nel sistema e dei meccanismi che governano la loro formazione ed evoluzione, oltre a un solido background di modeling e simulazioni. Dovrà inoltre collaborare alla ricerca di partner sperimentali adatti a costituire un consorzio in grado di richiedere finanziamenti tramite la scrittura di progetti di ricerca nazionali e internazionali.
Descrizione del bando in inglese	The technologist will be in charge of supporting the research activities of the research group, focused on theoretical/computational investigations of the integration of different semiconductor materials such as SiC or SiGe on Si substrates. To this aim, a deep knowledge of the typical extended defects populating such systems and of the mechanisms driving their formation and evolution is fundamental, together with a solid background in modeling and simulations. The technologist will also be asked to collaborate in the seatch for experimental partners, building up a consortium able to request fundings through submission of national and international projects.
Numero posti	1
Campo principale della ricerca	Physics
Sottocampo della ricerca	Solid state physics
Settore Concorsuale	02/B2 - FISICA TEORICA DELLA MATERIA
S.S.D	FIS/03 -
Settore Concorsuale	02/B2 - FISICA TEORICA DELLA MATERIA
S.S.D	FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
Destinatari del bando (of target group)	More Experienced researcher or >10 yrs (Senior)
Data del bando	09/02/2022

 

FP7 / PEOPLE / Marie Curie Actions

Research Framework Programme / Marie Curie Actions	No

 

Dettagli dell'impiego

Tipo di contratto	Temporary
Tempo	Part-time
Ore settimanali	24
Organizzazione/Ente	Università degli Studi di Milano-Bicocca
Paese (dove si svolgerà l'attività)	ITALY
Stato/Provincia	ITALIA/MILANO
Città	MILANO
Codice postale	20126
Indirizzo	Piazza dell'Ateneo Nuovo, 1

 

Contatto presso l'Organizzazione/Ente

Organizzazione/Ente	Università degli Studi di Milano-Bicocca
Tipo	Academic
Paese	ITALY
Stato/Provincia	ITALIA/MILANO
Città	MILANO
Codice postale	20126
Indirizzo	Piazza dell'Ateneo Nuovo, 1
E-mail	ufficio.concorsi@unimib.it
Telefono	026448654

 

Dettagli per la candidatura

Data di scadenza del bando	10/03/2022
Come candidarsi	Other

 

Titoli di studio richiesti

Laurea	Master Degree or equivalent
Ambito della laurea	Physics
Laurea	Master Degree or equivalent
Ambito della laurea	Physics